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ST的TF MEMS?技术和混合信号设计专业知识使得122芯片规模封装中的第一台功率TCXO成为可能——这是世界上最小的封装。典型的核心电源电流在100H时只有60μA。与标准振荡器不同,ST1576超级TCXO是在1H和25MH之间工厂可编程的。这种独特的,超小型的TCXO以其广泛的频率范围现了新的体系结构选项。ST1576是在多个温度点上工厂校准的,以保证非常紧密的频率稳定性,低至±5(初始温度及过温度)。(相关阅读可以查看YXC扬兴《MEMS技术给硅晶振带来什么优势》)[url=http:///rsonline.cn/web/b/wolfspeed/]wolfspeed[/url]的相关资讯可以到我们网站了解一下,从专业角度出发为您解答相关问题,给您优质的服务![align=center][/align]
频率:1H至25MH
频率稳定性():±5,±20
工作温度范围(°C):-20至+70,-40至+85
振荡器类型:H-MH TCXO型振荡器
输出类型:LVCMOS
包类型():1508
特色:低抖动
电压(V):162至6
SIT1576特色与效益
工厂可编程频率:1H至25MH
针对低功耗架构方案进行优化
超低功率:H时45A(典型),100H时60A(典型)。
使电池寿命最大化
芯片规模(CSP)的最小占地面积:15×08
节省板空间
±5全包含频率稳定性
改进的本地计时和改进的系统能力,减少对移动和可穿戴设备的络计时更新的依赖
内部VDD电源滤波
消除外部VDD旁路电容器,保持超小占地面积 |
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