盘点电源适配器功率MOSFET的等效电路图

shitouchengr

在设备的应用中 不仅要考虑设备的电压电流频率，还要掌握应用中如何保护设备在瞬态变化中不受损害的制动管是两个双极型晶体管的组合，并且大面积带来的大容量因此能力相对脆弱，也有导通区域的扩展问题[url=http:///www.szdyspq.com/]电源适配器[/url]的最新消息可以到我们平台网站了解一下，也可以咨询客服人员进行详细的解答！[align=center]

                               
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        功率MOSFET的状况有很大的不同。其和的能力经常用每秒(每秒不是每秒)的能力来估计。尽管如此还有动态性能的限制。我们可以从功率MOSFET的基本结构来理解
       

            图24是电源适配器功率MOSFET的等效电路?除了考虑器件的每一部分存在电容以外,还必须考虑M(SFET还并联着一个二极管,同时从某个角度看它还存在一个寄生晶体管(就像1GBT也寄生着一个晶闸管一样)?这几个方面是研究MOSFET动态特性很重要的因素。

        首先MOSFET结构附带的本征二极管具有一定的雪崩能力，通常是单一的雪崩能力和反复雪崩能力非常快的脉冲，有可能进入雪崩区域，超过的生产力，如果反向较大，二极管可能会承受快速的雪崩能力，对于任何PN结二极管来说，仔细研究其动态特性是复杂的

        在电源适配器功率MOSFET的设计过程中采取措施，尽量不使其中的寄生物体管发挥作用，在不同世代的电力MOSFET中采取的措施不同，但总的原则是尽量减小漏下的横向电阻R的值，因为只有在漏极N区域下的横向电阻流过足够的电流，在该区域确立偏差的条件下寄生的双极性晶闸管开始发困难，但在严峻的动态条件下，因为通过相应的电容引起的横向电流可能足够大，此时该寄生的双极性晶闸管可能会启动，因此在瞬间损坏SET内部的电容

           瞬态情况是和线路情况密切相关的,这方面在应用中应给予足够重视?对器件要有深入了解,才能有利于理解和分析相应的问题?